昆明理工大学材料科学与工程学院
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闫翠霞

更新日期:2018-03-09

 

 

闫翠霞 博士 副教授

Email: yancuixia@qq.com   

实验室主页:https://nanokmust.wordpress.com/

微信公众号:LDNV-KUST

地址:云南昆明理工大学莲华校区材料科学与工程学院118

 

个人简介

闫翠霞,女,理学博士,副教授,硕士生导师。一直主要从事材料性能的第一性原理计算研究。作为项目负责人承担国家自然科学基金项目1项、国家教育部新教师基金项目1项、云南省人才培养项目1项。第一作者和通讯作者在国内外核心期刊发表学术论文20余篇,其中SCI收录13篇、EI收录5篇;第一发明人申请发明专利3项,授权1项。

 

研究方向

1. 固体材料中的缺陷、杂质

2. 固体及表面上原子分子过程

 

教育经历

2006.08 - 2009.06 山东大学, 原子与分子物理专业,理学博士

2003.08 - 2006.08 山东大学,凝聚态物理专业,理学硕士

 

工作经历

2012.03 -     昆明理工大学材料科学与工程学院,副教授

2001.07 - 2012.03 济宁学院,物理与信息技术系,讲师

 

在研项目

1.     国家自然科学基金项目(11564022):空位缺陷及Ni/Co/Ti掺杂对铜-石墨烯界面结合影响及其机理的第一性原理研究,起止时间:2016.01-2019.12,项目负责人。

 

 

代表性论文

[1] Cuixia Yan*, Study of radiation damage in diamond film implanted by B ion, Applied Mechanics and Materials, 455 (2014) 54.

 

[2] Cuixia Yan*, Qingwei Jiang, Effects of atmospheric species and vacancy defect on electron transfer between diamond (001) surface and adlayer, European Physical Journal-Applied  Physics, 59 (2012) 11303.

 

[3] Cuixia Yan, Ying Dai*, Baibiao Huang, DFT study of Halogen impurity in diamond, Journal of Physics D: Applied Physics, 42 (2009) 145407.

 

[4] Cuixia Yan, Ying Dai*, Meng Guo, Baibiao Huang, Donghong Liu, Theoretical characterization of carrier compensation in P-doped diamond, Applied Surface Science, 255 (2009) 3994.

 

[5] Cuixia Yan, Ying Dai*, Run Long, Hong Jiang, Baibiao Huang, Ruiqin Zhang, Wen Jun Zhang, Igor Bello, Effect of Excess Hydrogen on the Electronic Properties of Passivated Diamond, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 70 (2009) 307.

 

[6] Cuixia Yan, Ying Dai*, Baibiao Huang, Run Long, Meng Guo, Shallow Donors in Diamond: Be and Mg, Computational Materials Science, 44 (2009) 1286.

 

[7] Cuixia Yan, Ying Dai, Meng Guo, Lin Yu, Donghong Liu, Baibiao Huang, Ruiqin Zhang, Wenjun Zhang,Igor Bello, Investigation of Low-Resistivity from Hydrogenated Lightly B-doped Diamond by Ion ImplantationScience and Technology of Advanced Materials9 (2008) 025014.

 

[8] Tengfei Fan, Cuixia Yan *, et al., The effect of copper substrate’s roughness on graphene growth process via PECVD, Materials Research Express, (accepted)

 

[9]   朋,闫翠霞*等,镍含量对铜基石墨烯复合材料力电性能的影响,稀有金属 (待发表)

 

[10] 凌自成,闫翠霞*等,球磨时间对石墨烯/铜材料组织和性能的影响,稀有金属材料与工程 46(2017)207

 

[11]   朋,闫翠霞*等,石墨烯含量对铜基石墨烯复合材料力学和电学性能的影响,材料导报 31(2017)29

 

[12] 闫翠霞*凌自成等,一种石墨烯增强铜基复合材料的制备方法,2017.10.27,中国,CN105624445 B

 

[13]朱恩福,闫翠霞*等,石墨烯储氢性能的研究进展,材料导报30(2016)47

 

 

代表性专利

1.     闫翠霞*凌自成等,一种石墨烯增强铜基复合材料的制备方法,2017.10.27,中国,CN105624445 B

 

代表性专著

Cuixia YanDai Ying*Baibiao HuangAdvances in Materials Science Research (Chapter 2 N-type Doping of Diamond Semiconductor ), NOVA Science Publishers, Inc, 10万,2012

 

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